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IRF7831PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6240pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta)
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IRF7831PBF Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IRF7831PBF Referenzpreis. IRF7831PBF Parameter, IRF7831PBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF7831PBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF7831PBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF7831PBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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