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IRF7902TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA
Series HEXFET®
Power - Max 1.4W, 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.4A, 9.7A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF7901D1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 1301
IRF7901D1 Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF7901D1(black) IR Spezialisierte heiße ICs 105072
IRF7901D1(white) IR Spezialisierte heiße ICs 26230
IRF7901D1PBF IR Spezialisierte heiße ICs 459
IRF7901D1TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2304
IRF7901D1TR Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF7901D1TR MOS IR Spezialisierte heiße ICs 2966
IRF7901D1TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 404
IRF7901D1TRPBF Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays

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