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IRF8304MTR1PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 28A MX

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 28A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4700pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Ta), 170A (Tc)
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IRF830 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 571
IRF830-HF MOS APEC Spezialisierte heiße ICs 88722
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