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IRF8327STR1PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 14A SQ

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package DIRECTFET™ SQ
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Package / Case DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 60A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3 mOhm @ 14A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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