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IRFH5110TR2PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4 mOhm @ 37A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3152pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 114W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta), 63A (Tc)
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IRFH5110TR2PBF Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IRFH5110TR2PBF Referenzpreis. IRFH5110TR2PBF Parameter, IRFH5110TR2PBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFH5110TR2PBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFH5110TR2PBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFH5110TR2PBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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