IRFHS9301TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 6A PQFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta)
Package / Case 6-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 6-PQFN (2x2)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 7.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta), 13A (Tc)
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