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IRFI4020H-117P Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1240pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package TO-220-5 Full-Pak
Power - Max 21W
Package / Case TO-220-5 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.1A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFI4019H IR Spezialisierte heiße ICs 82
IRFI4019H-117P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2260
IRFI4019H-117P Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRFI4019H-117P MOS IR Spezialisierte heiße ICs 263
IRFI4019H-117P/IRFI4019HG-117P IR Spezialisierte heiße ICs 10273
IRFI4019HG IR Spezialisierte heiße ICs 2693
IRFI4019HG-117P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2258
IRFI4019HG-117P Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRFI4019HG-117P MOS IR Spezialisierte heiße ICs 8271
IRFI4020H-117P Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays

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