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IRFSL4510PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 61A TO262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Supplier Device Package TO-262
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9 mOhm @ 37A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3180pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 61A (Tc)
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IRFSL4510PBF Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IRFSL4510PBF Referenzpreis. IRFSL4510PBF Parameter, IRFSL4510PBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFSL4510PBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFSL4510PBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFSL4510PBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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