IRFU3418PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3510pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
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IRFU310 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3718
IRFU310 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3718
IRFU310A FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 2799
IRFU310A IRFU310 FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 5999
IRFU310A IRFU310 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1698
IRFU310BTU FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2793
IRFU310PBF Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1286
IRFU310PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 33928
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IRFU310PBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 992

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