IRL1004STRRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 78A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5330pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130A (Tc)
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IRL1004PBF. IR Spezialisierte heiße ICs 43
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