IRLHM620TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package PQFN (3x3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3620pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Ta), 40A (Tc)
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