IRLL2703PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-223
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 3.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRLL2703 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1772
IRLL2703TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2593
IRLL2703TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 12381
IRLL2703TRPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRLL2703TRPBF IC IR50000 Spezialisierte heiße ICs 1493
IRLL2703TRPBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 829
IRLL2703TRPBF. IR Spezialisierte heiße ICs 2580
IRLL2705 IR Spezialisierte heiße ICs 546
IRLL2705 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 739
IRLL2705NTRPBF VB Spezialisierte heiße ICs 5000

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