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IRLR6225PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 21A, 4.5V
Packaging Tube
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3770pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRLR6225 IR Spezialisierte heiße ICs 18822
IRLR6225PBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 2248
IRLR6225TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 53642
IRLR6225TRPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRLR6225TRPBF IC IR Spezialisierte heiße ICs 463
IRLR6225TRPBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 449
IRLR6225TRPBF. IR Spezialisierte heiße ICs 52135
IRLR6225TRPBF. MOS IR Spezialisierte heiße ICs 52429

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