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IRLS4030PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 110A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11360pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 370W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRLS4030 IR Spezialisierte heiße ICs 22800
IRLS4030-7P IR Spezialisierte heiße ICs 535
IRLS4030-7PPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1321
IRLS4030-7PPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRLS4030-7PTRR(AUIRLS40 IR Spezialisierte heiße ICs 3500
IRLS4030-7PTRR(AUIRLS4030-7P) IR Spezialisierte heiße ICs 3000
IRLS4030PBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRLS4030TRL7PP International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2449
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