IRLU8259PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 57A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7 mOhm @ 21A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 13V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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