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SPB04N60S5ATMA1 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 200µA |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.9nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SPB04N50C3 | VB | Spezialisierte heiße ICs | 37500 |
SPB04N50C3ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2799 |
SPB04N50C3_05 | VB | Spezialisierte heiße ICs | 5000 |
SPB04N60C2 | VB | Spezialisierte heiße ICs | 19680 |
SPB04N60C3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 10981 |
SPB04N60C3 04N60C3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 494 |
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