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SPB08P06P Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 6.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SPB08N50C3 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 32363
SPB08N80C3 Original Spezialisierte heiße ICs 3616
SPB08P06P G infineon Spezialisierte heiße ICs 1995
SPB08P06P MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 563
SPB08P06PG INFINEO Spezialisierte heiße ICs 60935
SPB08P06PG MOS IR Spezialisierte heiße ICs 8346
SPB08P06PGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2584
SPB08P06PGATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren

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