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SPB100N03S2L-03 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8180pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SPB100100 MICROSEMI IGBT-Module 2833
SPB10015 MICROSEMI IGBT-Module 2897
SPB10035 MICROSEMI IGBT-Module 2984
SPB10040 MICROSEMI IGBT-Module 2755
SPB10045 MICROSEMI IGBT-Module 2930
SPB10045E3 Microsemi Dioden - Gleichrichter - Arrays 2736
SPB10045E3 Microsemi Corporation Gleichrichter-Dioden-Array
SPB10060 MICROSEMI IGBT-Module 2554
SPB10080 MICROSEMI IGBT-Module 2998
SPB10090 MICROSEMI IGBT-Module 2900

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SPB100N03S2L-03 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, SPB100N03S2L-03 Referenzpreis. SPB100N03S2L-03 Parameter, SPB100N03S2L-03 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SPB100N03S2L-03 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SPB100N03S2L-03 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SPB100N03S2L-03 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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