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SPB18P06P Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package PG-TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 13.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 81.1W (Ta)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.7A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SPB18P06P 18P06P International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 570
SPB18P06P G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2232
SPB18P06P MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 6880
SPB18P06PG INF Spezialisierte heiße ICs 3627
SPB18P06PGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2503
SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren

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