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SPB20N60C3 Technische Spezifikationen

SPB20N60C3 Infineon Technologies

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 13.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.7A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SPB200-AL-1 H&D Wireless RF Evaluierungs- und Entwicklungskits, Platinen 2717
SPB200-AL-1 H&D Wireless AB RF-Platinen
SPB2026Z RFMD/SI Spezialisierte heiße ICs 892
SPB2026Z MOS RFMD Spezialisierte heiße ICs 692
SPB2026ZSQ RDMD Spezialisierte heiße ICs 2
SPB2026ZSR RFMD Spezialisierte heiße ICs 409
SPB204 EVK H&D Wireless RF Evaluierungs- und Entwicklungskits, Platinen 2665
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SPB20N60C3 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, SPB20N60C3 Referenzpreis. SPB20N60C3 Parameter, SPB20N60C3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SPB20N60C3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SPB20N60C3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SPB20N60C3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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