SPD02N50C3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 560V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SPD025980 Luxo Zubehor 2660
SPD026586 Luxo Zubehor 2511
SPD026587 Luxo Zubehor 2603
SPD026588 Luxo Zubehor 2743
SPD02N50C3 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
SPD02N50C3 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 743
SPD02N50C3BTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2781
SPD02N60 Infineon Spezialisierte heiße ICs 5000
SPD02N60C3 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 15425
SPD02N60C3 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 2458

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