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SPP21N10 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 21A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 44µA
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38.4nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SPP21N50C3 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 11058
SPP21N50C3 21N50C3 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 773
SPP21N50C3 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 325
SPP21N50C3HKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2696
SPP21N50C3XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2532

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