2SA933ASTPR Technische Spezifikationen

TRANS PNP 50V 0.15A SPT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP
Power - Max 300mW
Package / Case SC-72 Formed Leads
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 1mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SPT
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 140MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SA930 HGF Spezialisierte heiße ICs 150000
2SA931-Y FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 2749
2SA933 Original Spezialisierte heiße ICs 5450
2SA933AS Original Spezialisierte heiße ICs 3262
2SA933AS TP Q ROHM Spezialisierte heiße ICs 30647
2SA933AS-TA Original Spezialisierte heiße ICs 45500
2SA933ASTPQ LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 10474
2SA933ASTPQ ROHM Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
2SA933ASTPR ROHM Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
2SA933ASTPS LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2607

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