2SAR533P5T100 Technische Spezifikationen

PNP -50V -3A MEDIUM POWER TRANSI

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP
Power - Max 500mW
Package / Case TO-243AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 50mA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 1A
Supplier Device Package MPT3
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
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