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2SD2396K Technische Spezifikationen

TRANS NPN 60V 3A TO220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN
Power - Max 2W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 500mA, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 50mA, 2A
Supplier Device Package TO-220FN
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 40MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
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2SD2318(TLU) ROHM Spezialisierte heiße ICs 2609
2SD2318-TL-V ROHM Spezialisierte heiße ICs 2860
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2SD2318TLU LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2702
2SD2318TLU ROHM Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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