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2SK2887TL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package CPT3
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 1.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SK2800 HIT Spezialisierte heiße ICs 22802
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