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BSM180D12P3C007 Technische Spezifikationen

SIC POWER MODULE

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 50mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Bulk
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Module
Power - Max 880W
Package / Case Module
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BSM180D12P2C101 LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2524
BSM180D12P2C101 ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
BSM180D12P3C007 ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
BSM181A4R SIEMENS Spezialisierte heiße ICs 2880
BSM181AR SIEMENS IGBT-Module 2988
BSM181F EUPEC Spezialisierte heiße ICs 2999
BSM181FR SIEMENS IGBT-Module 2729
BSM181R SIEMENS Spezialisierte heiße ICs 2731

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BSM180D12P3C007 Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, BSM180D12P3C007 Referenzpreis. BSM180D12P3C007 Parameter, BSM180D12P3C007 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BSM180D12P3C007 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BSM180D12P3C007 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BSM180D12P3C007 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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