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DTA015TMT2L Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-723
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package VMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 100k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA013ZEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 15364
DTA013ZEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA013ZM LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
DTA013ZMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA013ZUB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 6419
DTA013ZUBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3000
DTA013ZUBTL ROHM Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
DTA014EEB TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 162000
DTA014EEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 41202
DTA014EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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DTA015TMT2L Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, DTA015TMT2L Referenzpreis. DTA015TMT2L Parameter, DTA015TMT2L Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTA015TMT2L Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTA015TMT2L Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTA015TMT2L Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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