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DTA023YEBTL Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 150mW
Package / Case SC-89, SOT-490
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package EMT3F (SOT-416FL)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Original-Reel®
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA023EEB ROHM Spezialisierte heiße ICs 3286
DTA023EEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2658
DTA023EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA023EMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2745
DTA023EMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA023EUBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2579
DTA023EUBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA023JEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2642
DTA023JEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA023JMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2625

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