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DTA043ZUBTL Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 200mW
Package / Case SC-85
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package UMT3F
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA043EEB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
DTA043EEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 6264
DTA043EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA043EMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2611
DTA043EMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA043EUB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
DTA043EUBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 858
DTA043EUBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTA043EUBTL IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 800
DTA043TEB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 81425

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