DTB113ZCHZGT116 Technische Spezifikationen

500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SST3
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type PNP - Pre-Biased + Diode
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names DTB113ZCHZGT116TR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
Current - Collector Cutoff (Max) -
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTB113 ROHM Spezialisierte heiße ICs 1296
DTB113ECHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTB113ECT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2527
DTB113ECT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTB113EK ROHM Spezialisierte heiße ICs 187858
DTB113EK T146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 1791
DTB113EK T146 MCU LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1868
DTB113EKT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 11466
DTB113EKT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTB113EL Original Spezialisierte heiße ICs 2929

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