DTB123YCT116 Technische Spezifikationen

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SST3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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DTB120150UC-P5P-FL CUI, Inc. Batterieladegeräte 0
DTB120150UC-P5P-FL CUI Inc. Batterieladegeräte
DTB120225UC-P5P-FL CUI, Inc. Batterieladegeräte 2636
DTB120225UC-P5P-FL CUI Inc. Batterieladegeräte
DTB120300UC-P5P-FL CUI, Inc. Batterieladegeräte 2516
DTB120300UC-P5P-FL CUI Inc. Batterieladegeräte
DTB122JK ROHM Spezialisierte heiße ICs 9428
DTB122JK T146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3000
DTB122JKT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 5413
DTB122JKT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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