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DTC023EUBTL Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 2.2k
Power - Max 200mW
Package / Case SC-85
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package UMT3F
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC023EEB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
DTC023EEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 6327
DTC023EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC023EM ROHM Spezialisierte heiße ICs 4406
DTC023EM T2L LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 40327
DTC023EMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 104471
DTC023EMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC023EUB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
DTC023EUBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC023JEB ROHM Spezialisierte heiße ICs 7535

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