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DTC043TUBTL Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case SC-85
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package UMT3F
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC043EEB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 219292
DTC043EEB TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 2125
DTC043EEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 6224
DTC043EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC043EM ROHM Spezialisierte heiße ICs 80500
DTC043EMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2605
DTC043EMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC043EUB ROHM Spezialisierte heiße ICs 120000
DTC043EUBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2752
DTC043EUBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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DTC043TUBTL Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, DTC043TUBTL Referenzpreis. DTC043TUBTL Parameter, DTC043TUBTL Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTC043TUBTL Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTC043TUBTL Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTC043TUBTL Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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