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DTC114YEBTL Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 150mW
Package / Case SC-89, SOT-490
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package EMT3F (SOT-416FL)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Original-Reel®
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 70mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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DTC113EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2685
DTC113EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113ZCA Original Spezialisierte heiße ICs 110632
DTC113ZCA-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2598
DTC113ZCA-TP Micro Commercial Co Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113ZCAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2646
DTC113ZCAHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC113ZCAT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 110600

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DTC114YEBTL Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, DTC114YEBTL Referenzpreis. DTC114YEBTL Parameter, DTC114YEBTL Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTC114YEBTL Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTC114YEBTL Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTC114YEBTL Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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