DTC143TCAHZGT116 Technische Spezifikationen

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Series Automotive, AEC-Q101
Power - Max 350mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package SST3
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names DTC143TCAHZGT116CT
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
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DTC1432UA ROHM Spezialisierte heiße ICs 3271
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DTC143ECA 23 Original Spezialisierte heiße ICs 1902
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DTC143ECA-TP Micro Commercial Co Vorbelastete BJT-Transistoren
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