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DTC143ZETL Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 150mW
Package / Case SC-75, SOT-416
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package EMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC1432E ROHM Spezialisierte heiße ICs 3322
DTC1432UA ROHM Spezialisierte heiße ICs 3271
DTC1432UT106 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3100
DTC143E E23 CJ Spezialisierte heiße ICs 2700
DTC143EC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 436
DTC143ECA Original Spezialisierte heiße ICs 9200
DTC143ECA 23 Original Spezialisierte heiße ICs 1902
DTC143ECA-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2588
DTC143ECA-TP Micro Commercial Co Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC143ECAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2793

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