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DTC363EKT146 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 6.8k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 6.8k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC363EK ROHM Spezialisierte heiße ICs 547
DTC363EK / H27 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 45000
DTC363EK /H27 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 12000
DTC363EK T146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 2999
DTC363EKT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC363ES ROHM Spezialisierte heiße ICs 8000
DTC363EU ROHM Spezialisierte heiße ICs 3250
DTC363EU T106 ROHM Spezialisierte heiße ICs 93000
DTC363EUT106 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 75281
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DTC363EKT146 Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, DTC363EKT146 Referenzpreis. DTC363EKT146 Parameter, DTC363EKT146 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTC363EKT146 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTC363EKT146 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTC363EKT146 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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