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DTD543XETL Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 150mW
Package / Case SC-75, SOT-416
Frequency - Transition 260MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package EMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTD543EETL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2797
DTD543EETL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD543EMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2622
DTD543EMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD543XE ROHM Spezialisierte heiße ICs 3000
DTD543XETL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD543XMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2792
DTD543XMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD543ZE TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 5734
DTD543ZETL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2524

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