DTD713ZMT2L Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-723
Frequency - Transition 260MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package VMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
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DTD713ZE TL LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2017
DTD713ZETL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2990
DTD713ZETL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD713ZM T2L ROHM Spezialisierte heiße ICs 6500
DTD713ZMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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