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DTD743XETL Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 150mW
Package / Case SC-75, SOT-416
Frequency - Transition 260MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package EMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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DTD743EETL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD743EM ROHM Spezialisierte heiße ICs 6189
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DTD743EMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
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DTD743XETL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
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DTD743XETL Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, DTD743XETL Referenzpreis. DTD743XETL Parameter, DTD743XETL Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTD743XETL Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTD743XETL Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTD743XETL Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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