EM6K6T2R Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 300mA, 4V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package EMT6
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA
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EM6K6 ROHM Spezialisierte heiße ICs 8411
EM6K6 G T2R LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 16463
EM6K6 T2CR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 7590
EM6K6 T2R ROHM Spezialisierte heiße ICs 39941
EM6K6GT2R ROHM Spezialisierte heiße ICs 700
EM6K6T21R ROHM Spezialisierte heiße ICs 8500
EM6K6T2CR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2640
EM6K6T2R ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
EM6K6T2R MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 18873

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