EMD12FHAT2R Technische Spezifikationen

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) -
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names EMD12FHAT2RCT
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Current - Collector Cutoff (Max) -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package EMT6
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
EMD12 Original Spezialisierte heiße ICs 39641
EMD12 T2R ROHM Spezialisierte heiße ICs 60847
EMD12 T2R IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 8423
EMD1230FP FreeWave Technologies Netzwerklösungen Zubehör
EMD1230FX FreeWave Technologies Netzwerklösungen Zubehör
EMD1230UX FreeWave Technologies Netzwerklösungen Zubehör
EMD1250XP FreeWave Technologies Netzwerklösungen Zubehör
EMD1280AX FreeWave Technologies Netzwerklösungen Zubehör
EMD1280UW FreeWave Technologies Netzwerklösungen Zubehör
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