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EMT1T2R Technische Spezifikationen
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Supplier Device Package | EMT6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 140MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
EMT1T2R | ROHM Semiconductor | Arrays BJT-Transistoren |
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