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EMX52T2R Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package EMT6
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 350MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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EMX52T2R ROHM Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
EMX52T2R IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 12997

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