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IMD16AT108 Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
Supplier Device Package SMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 100k, 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 500mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IMD16 ROHM Spezialisierte heiße ICs 860
IMD16A ROHM Spezialisierte heiße ICs 1288
IMD16A T108 ROHM Spezialisierte heiße ICs 12000
IMD16A-T108 ROHM Spezialisierte heiße ICs 1495
IMD16AT108 ROHM Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
IMD16AT108 MCU LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 821
IMD16AT208 ROHM Spezialisierte heiße ICs 17747

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