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IMD3AT108
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IMD3AT108 Technische Spezifikationen
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | SMT6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
IMD3AT108 Unterlagen
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Datenblätter
IMD3AT108.pdf
Andere schließen ein "IMD3A" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IMD3A'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IMD3A | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 12347 |
IMD3A MCU | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 802 |
IMD3A T108 | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 6182 |
IMD3AT108 | ROHM Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays |
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IMD3AT108 Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, IMD3AT108 Referenzpreis. IMD3AT108 Parameter, IMD3AT108 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IMD3AT108 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IMD3AT108 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IMD3AT108 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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