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IMH11AT110 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IMH11 ROHM Spezialisierte heiße ICs 2422
IMH11A ROHM Spezialisierte heiße ICs 76775
IMH11A T110 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3488
IMH11AT108 ROHMNMX Spezialisierte heiße ICs 2700
IMH11AT110 ROHM Semiconductor BJT-Transistor-Arrays

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IMH11AT110 Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, IMH11AT110 Referenzpreis. IMH11AT110 Parameter, IMH11AT110 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IMH11AT110 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IMH11AT110 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IMH11AT110 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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