IMT17T110 Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package SMT6
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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IMT17 ROHM Spezialisierte heiße ICs 5953
IMT17 T110 ROHM Spezialisierte heiße ICs 41798
IMT17-7 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 3000
IMT17-7-80 DIODES Spezialisierte heiße ICs 33281
IMT17T100 IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 27448
IMT17T110 ROHM Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
IMT17T208 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2541
IMT17T208 ROHM Semiconductor Arrays BJT-Transistoren

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