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IMX17T108 Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN 50V 0.5A 6SMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package SMT6
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IMX17 ROHM Spezialisierte heiße ICs 5584
IMX17 T108 ROHM Spezialisierte heiße ICs 2800
IMX17 T110 ROHM Spezialisierte heiße ICs 8767
IMX174LLJ SONY Spezialisierte heiße ICs 3500
IMX174LQJ SONY Spezialisierte heiße ICs 3500
IMX174LQJ-C SONY Spezialisierte heiße ICs 2576
IMX178 SONY Spezialisierte heiße ICs 4000
IMX178LQJ-C SONY Spezialisierte heiße ICs 5231
IMX179 SONY Spezialisierte heiße ICs 2528
IMX17T108 ROHM Semiconductor Arrays BJT-Transistoren

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